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        關于我們

        集團刊物

        富士電機技術期刊

        專輯:有助于能源管理的功率半導體

        專輯:有助于能源管理的功率半導體

        為實現低碳社會,提高能源使用效率非常重要真人荷官发牌网站真人荷官发牌网站。尤其是電氣能源真人荷官发牌网站,對 于汽車、工業機械、社會基礎設施、家電產品等眾多領域來說都是必不 可少的真人荷官发牌网站,因此能提高電氣能源使用效率的電力電子技術的發展被寄予厚望。 富士電機致力于開發能源轉換效率高真人荷官发牌网站真人荷官发牌网站、干擾弱且使用方便的功率半導體真人荷官发牌网站, 它正是電力電子技術的關鍵設備。 在本期特集中,我們將介紹富士電機功率半導體方面的最新技術和產品。
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        All-SiC模塊的封裝技術

        仲村 秀世 ? 西澤 龍男 ? 梨子田典弘
        我們在百萬瓦級太陽能用功率調節器中運用新型封裝結構的All-SiC模塊,達成了98.8%的轉換效率,成功實現節能真人荷官发牌网站。該封裝結構采用以銅針取代傳統的配線,以及使用電源基板的立體配線真人荷官发牌网站,并利用熱固性環氧樹脂制成全模塊結構,因此,具備小型、低電感、高可靠性的特點。在進行產品設計時,我們通過結構設計對性能進行了優化真人荷官发牌网站,同時,利用樹脂流動仿真和樹脂流動的可視化真人荷官发牌网站,進行模塑流程設計,實現了顯著抑制空隙的全模塊結構真人荷官发牌网站。點擊下載

        1700V耐壓SiC混合模塊

        小根澤 巧 ? 北村 祥司 ? 磯 亞紀良
        富士電機開發了面向電氣鐵道市場的1700V耐壓SiC混合模塊,將其作為變頻器用功率元件,為節能做貢獻。IGBT中搭載了第6代IGBT芯片,FWD中搭載了SiC-SBD芯片。產品額定為1700V/1200A(2 in 1)真人荷官发牌网站,擁有重視損耗的標準規格和適用于低開關頻率的低VCE(sat)規格2個系列。標準規格相比傳統的Si 模塊真人荷官发牌网站,可將產生的損耗降低18%。而在對變頻器產生的損耗進行比較后發現,低VCE(sat)規格在低開關頻率的條件下真人荷官发牌网站,相比標準規格,可降低損耗6%。點擊下載

        3300V耐壓SiC混合模塊技術

        金子 悟史 ? 金井 直之 ? 辻   崇
        電力電子設備除了節能化真人荷官发牌网站,還被強烈要求改善性能,實現小型化真人荷官发牌网站、輕量化、高輸出等真人荷官发牌网站。富士電機為滿足這些要求,不斷推動3300V耐壓SiC混合模塊的開發。通用運用與聯合研究機構TSUKUBA POWER ELECTRONICS CONSTELLATIONS共同開發的SiC-SBD真人荷官发牌网站,比現行的Si模塊,可使產生的損耗降低了24%。另外,通過使用Sn-Sb系焊錫,確保了高可靠性,并使連續運行溫度提高了25℃。配合產生損耗的降低效果真人荷官发牌网站,實現了高功率密度化真人荷官发牌网站,使占用空間削減了約30%。點擊下載

        第7代“X 系列”IGBT模塊

        川畑 潤也 ? 百瀨 文彥 ? 小野澤勇一
        近年來,IGBT模塊市場面臨著小型化、低損耗化、高可靠性的強烈要求。富士電機為滿足這些要求,開發了第7代“X系列”IGBT模塊真人荷官发牌网站。憑借IGBT和FWD芯片損耗的大幅降低以及高散熱、高耐熱真人荷官发牌网站、高可靠性封裝的開發,減少了約36%的占用空間真人荷官发牌网站,降低了約10%的電力損耗,實現了長期可靠性。另外真人荷官发牌网站,通過改善高溫運行時的特性和耐量,將連續運行的最大溫度從以往的150℃提升到175℃真人荷官发牌网站。由此,輸出電流可大幅增加,實現了電力轉換裝置的進一步小型化和高功率密度化。點擊下載

        第2代小容量IPM

        荒木  龍 ? 白川  徹 ? 小川 裕貴
        富士電機正致力于開發將構建電動機驅動系統所必需的功率元件真人荷官发牌网站、控制IC等集成在1個封裝中的小容量IPM真人荷官发牌网站。為進一步節能,富士電機以第7代IGBT技術為基礎,開發了第2代小容量IPM。以功率5.6kW 的空調為假想對象真人荷官发牌网站,在其中間負載領域,相比第1代產品,可降低10%以上的損耗,在額定和最大負載領域,可降低20%以上的損耗真人荷官发牌网站。電路基板焊錫部的溫度上升幅度相比第1代也降低了約20℃,實現了節能,擴大了輸出電流真人荷官发牌网站,提升了電路基板安裝時的可靠性和系統設計的自由度。點擊下載

        IPM用HVIC技術

        上西 顯寬 ? 赤羽 正志 ? 山路 將晴
        高耐壓的柵極驅動IC 即HVIC(High Voltage Integrated Circuit)是實現IPM(Intelligent Power Module)高功能化的核心元件之一。富士電機針對中小容量IPM,開發出以高功能、小型、高可靠性為特點的產業用保證600V/1200V耐壓的HVIC技術。通過省面積電路化以及采用高耐壓技術和高抗干擾耐量電平移位電路技術真人荷官发牌网站,使芯片尺寸縮小了20%真人荷官发牌网站,同時還實現了高耐壓和高可靠性。另外,還實現了上臂IGBT過熱、過電流的保護電路技術以及異常通知信號的降級功能。點擊下載

        車載用第3代直接水冷型功率模塊

        荒井 裕久 ? 樋口 惠一 ? 小山 貴裕
        富士電機開發出針對混合動力汽車和電動汽車的車載用第3 代直接水冷型功率模塊真人荷官发牌网站。這是假定100kW 級電動機容量、額定750V/800A的功率模塊。市場對車載用功率模塊的需求是高效化和小型化。為滿足這一需求,本公司利用將水冷散熱片和罩一體化的水冷套,在改善散熱性的同時,提高焊錫的可靠性,實現了175℃的連續運行溫度。另外,還通過使用將IGBT和FWD 一體化的RC-IGBT,實現功率模塊的小型化。點擊下載

        車載用第3代功率模塊的封裝技術

        鄉原 廣道 ? 玉井 雄大 ? 山田 教文
        近年來真人荷官发牌网站,混合動力車和電動汽車的開發與普及不斷加速,需要有低損耗化和高輸出化的功率模塊真人荷官发牌网站,并且通過小型輕量化來降低油耗真人荷官发牌网站。富士電機開發出直接水冷結構用高散熱冷卻器、銅端子配線和電極的超聲波接合技術以及組合析出強化和固溶強化后實現復合強化的長壽命新焊錫等。將本技術運用到搭載RC-IGBT芯片的車載用第3代功率模塊中后,實現了高可靠性和可削減30%占用空間的薄型化。點擊下載

        車載用RC-IGBT

        吉田 崇一 ? 野口 晴司 ? 向井 弘治
        從防止地球氣溫上升等環保觀點出發,為降低CO2排放量,混合動力車和電動汽車正不斷得到普及。在這些汽車中,為了提高能源效率,要求實現車載半導體元件的低損耗化和逆變器的小型化真人荷官发牌网站。富士電機為滿足這一需求,正在推進將IGBT和FWD結合1塊芯片上的RC-IGBT 的產品化。此次我們在車載用RC-IGBT中實施了溝槽型柵間隔的優化、電場終止層優化和載流子壽命控制優化等改良。如此,逆變器運行時產生的損耗便可比運用傳統的車載用RC-IGBT時降低約20%。點擊下載

        車載油箱壓力檢測相對壓力傳感器

        加藤 博文 ? 蘆野 仁泰 ? 佐藤 榮亮
        近年來,愈發要求汽車降低對環境的負擔真人荷官发牌网站,實例之一就是美國將檢查汽車燃料泄漏情況列為強制要求內容真人荷官发牌网站。富士電機針對回收氣化燃料并用氣缸進行焚燒處理的氣化燃料排放抑制裝置的控制用途真人荷官发牌网站,開發了可直接安裝在引擎室配管上的車載油箱壓力檢測相對壓力傳感器真人荷官发牌网站。以第6代小型壓力傳感器的技術為基礎,通過提高對氣化燃料的耐受性和保護功能真人荷官发牌网站,強化EMC(Electromagnetic Compatibility :電磁兼容性)真人荷官发牌网站,確保了耐久性和高精度的檢測。點擊下載

        支持峰值負載的PWM 電源控制IC“FA8B00系列”

        松本 晉治 ? 山根 博樹 ? 藪崎  純
        近年來,在筆記本電腦真人荷官发牌网站、噴墨打印機領域,出現了為支持新CPU或針對電機驅動負載等,增加最大輸出電力的需求。富士電機為滿足這些需求,開發了支持峰值負載的PWM 電源控制IC“FA8B00系列”真人荷官发牌网站。這種IC可隨著FB端子電壓的上升,將開關頻率提高至最大130kHz,因此真人荷官发牌网站,可在不增加變壓器體積的情況下,增加電源的最大輸出電力。另外,憑借開關頻率抖動的擴大功能真人荷官发牌网站,還實現了針對波動負載的低EMI 干擾特性。點擊下載

        第2代低損耗SJ-MOSFET“Super J MOS S2系列”

        渡邊 荘太 ? 坂田 敏明 ? 山下 千穗
        為了高效利用能源,電力轉換裝置面臨著進一步高效化的需求,而搭載于其中的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor :金屬氧化物半導體場效應晶體管)真人荷官发牌网站,則需要產品更加小型化、低損耗、低干擾真人荷官发牌网站。富士電機降低了按單位面積標準化的導通電阻Ron?A ,并改善了關斷損耗Eoff 和關斷時的VDS浪涌電壓的均衡特性,開發了低損耗、使用方便的第2代低損耗SJMOSFET“Super J MOS S2系列”。使用本產品,有望提高電力轉換裝置的效率。點擊下載

        高速分立器件IGBT“High-Speed W 系列”

        原  幸仁 ? 內藤 達也 ? 加藤 由晴
        對不間斷電源裝置(UPS)和太陽能發電功率調節器(PCS)而言,電力的轉換效率是非常重要的性能真人荷官发牌网站,因此,使用的開關元件要求實現低損耗。另外,小型變頻機考慮到需要容易搬運真人荷官发牌网站,因此使用的元件要求可實現高速開關和低損耗。富士電機開發和產品化的高速分立器件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)通過降低活性區的寄生容量,最優化電場終止層等,相比傳統產品,650V 規格的產品可降低損耗約10%真人荷官发牌网站,1200V 規格的產品可降低損耗約19%。點擊下載
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