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        EV、HEV用IGBT模塊

        采用直接水冷銅散熱片基礎結構真人荷官发牌网站、實現了高功率密度和小型封裝的EV真人荷官发牌网站、HEV用IGBT模塊 產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外,還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

        產品信息

        • 產品信息

        EV真人荷官发牌网站、HEV用IGBT模塊 650V級

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        VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

        Package Device type VCES
        Volt
        IC(Cont)
        Amps.
        IC(Peak)
        Amps.
        VCE(sat)
        Typ. Volts
        VF
        Typ. Volts
        Net mass Grams

        M651
        6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

        M652
        6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

        :新產品

        :更新

        :開發中

         


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