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        集團刊物

        富士電機技術期刊

        專輯:有助于能源管理的功率半導體

        專輯:有助于能源管理的功率半導體

        為防止全球氣候變暖,限制CO2排放至關重要。以實現節能減排為目的,太陽能發電和風力發電等可再生能源的發展和HEV、EV等汽車的電動化都在不斷推進真人荷官发牌网站。因此,為了高效、穩定的使用電能真人荷官发牌网站,在電力電子領域,人們對作為核心器件的功率半導體的期待日益高漲。在與電力電子裝置小型化和高效率息息相關的功率半導體方面,富士電機面對多種領域不斷研發真人荷官发牌网站,并將其產品化。
        本專輯將針對富士電機的功率半導體,介紹最新技術和產品真人荷官发牌网站。
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        搭載有SiC溝槽型柵MOSFET的All-SiC模塊

        中澤 將剛 ? 大長 規浩 ? 辻   崇
        隨著人們要求電力轉換裝置進一步高效化、小型化、大容量化,對可滿足這些要求的SiC模塊產品化的期待也越來越高。富士電機過去通過獨創的新封裝結構,將最大額定容量1200V/100A的All-SiC模塊成功產品化。這一新封裝結構實現了SiC模塊的高性能化和高可靠性。富士電機為擴大額定容量,這次新開發出了大容量新封裝結構。在本封裝中通過安裝兼具低導通電阻和高速開關特性的SiC溝槽型柵MOSFET,實現了額定容量1200V/400A的All-SiC模塊。 點擊下載

        配電設備用3.3kV 耐壓All-SiC模塊

        谷口 克己 ? 金子 悟史 ? 熊田惠志郎
        富士電機參與了國立研究開發法人 新能源產業技術綜合開發機構(NEDO)的項目,正致力于開發在太陽能發電等分散型能源大量導入時可穩定電網的配電設備和控制系統。富士電機開發出該配電設備用的3.3kV耐壓All-SiC模塊,相比傳統的Si-IGBT模塊,使變頻器產生的損耗降低了64%。由此真人荷官发牌网站,實現了可安裝于單根電線桿上的小型輕量的配電設備真人荷官发牌网站,而使用傳統的Si-IGBT模塊時,由于尺寸上的限制這是無法做到的。 點擊下載

        第7代“X系列”1700V IGBT模塊“PrimePACK?”

        山本 拓也 ? 吉渡 新一 ? 岡本 有人
        產業、民生真人荷官发牌网站、汽車等領域以及可再生能源領域中使用的電力轉換裝置用大容量IGBT模塊的需求正在擴大。在第7代“X系列”IGBT 模塊系列中,富士電機開發出了新產品“PrimePACK?”。本產品通過改善半導體芯片特性來降低電力損耗,以及使用新開發的高散熱絕緣基板來大幅降低熱阻真人荷官发牌网站。此外,通過提升ΔTvj功率循環耐量和絕緣用硅膠的耐熱性,將連續運行保證溫度從過去的150℃升高到175℃,實現了傳統技術難以做到的最大額定電流1800A的產品真人荷官发牌网站。 點擊下載

        大容量SiC混合模塊“HPnC”

        關野 裕介 ? 三本 孝博 ? 森谷 友博
        富士電機開發了用于電鐵和太陽能發電、風力發電領域的大容量功率模塊“HPnC”。芯片技術中,適用了第7代“X系列”的技術真人荷官发牌网站,降低了芯片損耗。封裝中,絕緣基板使用了氮化鋁(AlN)陶瓷,基座材料中還使用了鎂和碳化硅的復合材料(MgSiC)。主端子結構采用了層壓結構真人荷官发牌网站,從而將內部電感降低到10nH,并利用超聲波端子接合方式,滿足了RoHS指令的要求真人荷官发牌网站。運用這些技術后,與過去的HPM相比,電流密度增加了12%,實現了高電流密度化真人荷官发牌网站。 點擊下載

        第7代“X系列”產業用RC-IGBT模塊的系列化

        山野 彰生 ? 高崎 愛子 ? 市川 裕章
        為滿足IGBT模塊小型化、低損耗化、高可靠性化的市場要求,富士電機開發了將IGBT和FWD單芯片化的RC-IGBT(逆導型IGBT),推進了額定電壓1200V的第7 代“X系列”產業用RC-IGBT模塊的系列化,并新開發了“Dual XT”。相比第6代“V系列”產業用IGBT模塊“Dual XT”的最大額定電流600A,新產品將額定電流擴大到了1000A。而與采用相同封裝的傳統產品比較真人荷官发牌网站真人荷官发牌网站,大幅改善了實際運行時芯片的接合溫度和接合溫度上升的問題。有望實現電力轉換裝置輸出的進一步提高和長壽命化。 點擊下載

        車載用大容量IGBT模塊“M660”

        大澤 彰浩 ? 樋口 惠一 ? 仲野 逸人
        車載用IGBT模塊為了高效利用電池的電力,不僅要降低損耗,還需要進一步小型化真人荷官发牌网站、輕量化。同時真人荷官发牌网站,也必須實現大容量化。為滿足這些要求,富士電機開發了直接水冷式功率模塊“M660”。在將傳統內部配線的引線焊接方式改為引線框架結構的同時,還采用了改善了特性的RC-IGBT(Reverse-Conducting IGBT:逆導型IGBT)和水冷套一體型的冷卻結構真人荷官发牌网站,從而實現了通用6 in 1 IGBT模塊世界最大容量的額定750V/1200A。 點擊下載

        第6.5代車載用壓力傳感器

        鵜澤 良平 ? 西川 睦雄 ? 田中 貴英
        現在,人們強烈要求汽車能降低對環境的壓力。引擎高效化和尾氣凈化的控制系統中不可缺少的車載用壓力傳感器,被要求具備高溫運行性能、耐腐蝕性、耐帶電性以及實現小型化等。為滿足這些要求,富士電機開發了第6.5代車載用壓力傳感器。以第6 代產品為基礎,增加了對尾氣真人荷官发牌网站、氣化燃料的耐腐蝕性能和耐帶電性能,提升了傳感器精度的可靠性,并實現了小型化。此外,通過優化溫度特性,實現了150℃下的運行保證,并追加了分離診斷電壓區和一般的輸出電壓范圍,防止誤檢測的鉗位功能真人荷官发牌网站。 點擊下載

        650V耐壓PWM電源控制IC“FA8A80系列”

        日朝 信行 ? 遠藤 勇太 ? 狩野 太一
        對電子設備中的開關電源,節能、削減使用材料的必要性日益增強,同時,高效化、低待機電力化以及削減零部件數量的需求也日益強烈。富士電機延續了“FA8A60系列”高效率真人荷官发牌网站,低待機電力的特點,開發出可進一步實現電源裝置小型化、提升安全性的650V 耐壓PWM 電源控制IC“FA8A80系列”真人荷官发牌网站。該系列產品將高壓輸入端子的最大施加電壓從500V 提高到650V真人荷官发牌网站,實現高耐壓化的同時,提升了浪涌電壓耐量。此外真人荷官发牌网站,在各種保護功能方面,保持了與傳統產品同等的特性真人荷官发牌网站,從而可以有效利用現有資料來設計電源。 點擊下載

        DFN8×8封裝的“Super J MOS S2系列”、“Super J MOS S2FD系列”

        島藤 貴行 ? 渡邊 荘太 ? 松本 和則
        富士電機將采用了超結結構的第2 代低損耗SJ-MOSFET“Super J MOS S2系列”和“Super J MOS S2FD系列”,搭載在比傳統的D2-PACK 封裝更小更薄的貼片型DFN8×8 封裝上,并實現了系列化。本封裝將電極片配置在封裝的背面,結構中不帶導線端子。相比D2-PACK,安裝面積減少了58%真人荷官发牌网站,封裝高度為0.85mm,因此可實現高密度安裝。為實現開關動作的高速化,還設置了子源極端子。 點擊下載
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