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        SiC肖特基勢壘二極管

        SiC器件具有出色的特性,能夠實現高耐壓、低功耗、高頻動作和高溫動作。使用SiC的功率半導體能夠實現大幅節能和安裝產品的小型化真人荷官发牌网站、輕量化真人荷官发牌网站。

        產品信息

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        SiC-SBD系列

        接線 VRRM (V) Io (A)
        TO-220

        TO-220F

        TO-247

        T-Pack(s)
        單管 650 6 FDCP06S65 FDCA06S65
        8 FDCP08S65 FDCA08S65
        10 FDCP10S65 FDCA10S65 FDCY10S65 FDCC10S65
        25 FDCP25S65 FDCA25S65 FDCY25S65 FDCC25C65
        1200 18 FDCA18S120 FDCY18S120
        雙管 650 20 FDCP20C65 FDCA20C65 FDCY20C65 FDCC20C65
        50     FDCY50C65  
        1200 36     FDCY36C120  

        :新產品

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